浸提德国国家物理技术研究院（PTB）研发小组进行了一项实验，通过磁性介质以从物理学角度理论上可行的最快速度完成数据的存储和读写。这将助于使磁阻式随机存取存储器(MRAM)的读写速度赶上相应的电子存储器件。

　　因为现在流行的计算机存储芯片如DRAM和SRAM都存在掉电后数据即丢失的缺点，而MRAM并非通过电荷充电而是通过改变其存储单元的磁性方向来存储数据，因此不会受掉电的影响。通过对MRAM的存储单元加正脉冲或负脉冲即可写入计算机内部数据 (0/1）。最新一代MRAM采用转矩(spin-torque)技术可以实现更高存储密度。正因MRAM具有上述优点，全球研发人员都在积极开发用于MRAM的技术解决方案。

　　通过转矩(spin-torque)存储单元的电流脉冲会导致磁性存储介质的磁性发生变化。为了将MRAM中某单元内的信息bit位进行可靠地转换，现在的读写技术需要将对应的正/负脉冲维持一定时间。因此写入过需要约10纳秒。