IBM在测试的存储芯片SRAM（静态随机存储器）首次使用22nm制造工艺，由AMD、Freescale、IBM、东芝以及CNSE共同开发生产，采用传统的设计方式——在300mm晶圆上设置6三极管。据称，该测试芯片的磁心存储匹元（memory cell）面积仅为0.1μm2，这方面与Intel 0.346μm2磁心存储匹元的面积相比具有不小的优势。

　　据了解，Intel曾经在去年9月份展示过业界首款32nm SRAM测试晶圆，而且旗下32nm CPU将会在本周的IDF论坛上正式亮相，不过事实上，Intel的22nm SRAM测试晶圆至今还是遥遥无期。

　　IBM对于自己的32 nm制程技术同样信心十足，曾今许诺：“IBM的32 nm high-K metal gate制程工艺非常先进，其他任何一家公司所无法比拟。”不过，与IBM对于其全新的32nm high-K metal gate技术守口如瓶不同，Intel其实已经于去年年底就开始利用high-K metal gate技术生产45nm Penryn了。

　　但是，尽管我们离22nm以及32nm芯片还有段时间，但是以目前的情况看，IBM以及AMD们在芯片制程工艺方面已经领先于Intel了，这也是最近几十年来头一次，看来芯片巨头们的竞赛越来越有趣了。